FTIR-Spektroskopie zur Bestimmung der optischen Eigenschaften von Halbleitern
Exkurs:
IR-Ellipsometrie
Vortrag:
FTIR & IRSE
GaAs (dotiert)
Abbildung 1 zeigt das gemessene Transmissions- und Reflexionsspektrum einer dotierten GaAs-Probe dar. Die Ladungsträgerkonzentration der gemessenen Probe ist etwa 1,27 · 1018 cm-3.
Abbildung 1: Transmissions- und Reflexionsspektrum einer dotierten GaAs-Probe.
Aufgrund der Ladungsträger kommt es im Bereich der kleinen Wellenzahlen zu einer stärkeren Absorption als bei der undotierten GaAs-Probe . Ergebnis ist, dass der Bereich, in dem die Transmission Null ist, sich verbreitert. Außerdem verschiebt sich das Minimum oberhalb der Reststrahlenbande mit steigender Ladungsträgerkonzentration zu höheren Wellenzahlen (siehe Abbildung 2).
Abbildung 2: Reflexionsspektren dotierter GaAs-Proben. Die Kurven sind der Übersicht halber gegeneinander verschoben. Die Beiträge freier Ladunsgträger nehmen von unten nach oben zu.
Literatur
| [1] | H. Ibach und H. Lüth: Festkörperphysik; Springer-Verlag, Berlin, 1990. |
| [2] | P. A. Schumann, Jr.: IBM Technical Report; 22.757 (1969) 1. |
| [3] |
H. Sobotta;
Plasmareflexion von n-GaAs im fernen Infrarot;
Annalen der Physik 25 (1970) 411. DOI: https://doi.org/10.1002/andp.19704800410 |
| [4] |
B. Rheinländer;
On the Infrared-Plasma-Reflection in p-Type GaAs;
phys. stat. sol (b) 55 (1973 K69. DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.2220550168 |
| Carsten Bundesmann, 2001 & 2014 | [Zurück zum Seitenanfang] | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||