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Inhalt der Arbeit

IR-Spektroskopie

FTIR-Spektroskopie

Spektrometer IFS48

Messspektren

• Leerkanal
• GaAs (undotiert)
• GaAs (dotiert)
• GaAsN

Zusammenfassung

Geschichte

Exkurs:
IR-Ellipsometrie

Vortrag:
FTIR & IRSE

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Zur Person

Messspektren

Das Ziel meiner Messungen war die Untersuchung des Einbaus von N-Atomen in GaAs. Dazu wurden GaAs_1-yN_y-Schichten mit unterschiedlichem N-Anteil (y < 0.04)vermessen. Die GaAsN-Schichten wurden mit Metallorganischer Gasphaseneptixie (MOVPE) auf GaAs abgeschieden. Zum Vergleich wurde eine SI-Probe (SI=semi-isulating) GaAs ohne Stickstoff vermessen. Um den Einfluss von Ladungsträgern bei den GaAsN-Proben auszuschließen, wurden außerdem dotierte GaAs-Proben mit unterschiedlichen Ladungsträgerkonzentrationen untersucht.

Im Weiteren werden ausgewählte Messspektren gezeigt:

• Leerkanalspektrum des IFS 48,
  Demonstration des Einflusses von atmosphärischen H₂O und CO₂
• GaAs (undotiert)
  SI-Probe GaAs ("semi-insulating")
• GaAs (dotiert, n-leitend)
  Einfluss der freien Ladungsträger
• GaAsN
  Änderung der Gitterschwingungen im Mischkristall

Alle Spektren wurden mit einer Auflösung von 4 cm^-1, der Blackman-Harris-3-Term-Apodisationsfunktion, einem Zerofill-Faktor 4 und der Mertz-Phasenkorrektur gemessen.

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